SVF2N65F/MJ/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-CellTM平面高压 VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动
特点
2A,650V,RDS(on)(典型值)=4.3@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
深圳飞捷士科技核心服务
功率器件:代理华润微电子,特诺半导体
物联网:阿里巴巴IOT核心芯片分销合作伙伴
照明IC:立锜科技,美芯晟
MCU单片机:晟汐微,国民技术
飞捷士专业的功率器件专家,如有更多问题请可以与我们联系