制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
ZXMN10A07ZTA
描述
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 N 沟道 pval(2068) 1A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
一般信息
数据列表ZXMN10A07Z;
标准包装 1,000包装 标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）
驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值） 700 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值） 2.9nC @ 10V
Vgs（Zui大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值） 138pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（Zui大值） 1.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-89-3
封装/外壳 TO-243AA
