电容器投切分为动态投切和静态投切，国标规定响应时间1秒以内为动态投切；超过3秒为静态投切，投切开关按动态投切使用：晶闸管开关（可控硅）；又称无触点投切，过零投切，无涌流，通过控制器控制输出12V直流电压来控制开关的通断。
静态投切使用：电容投切专用接触器，此种接触器采用延时投切技术控制电容器投切时涌流的出现。控制器通过无源触点控制接触器。功率因数控制器，不同的投切开关控制方式不同，因此对应控制器也是不同的。即控制器型号是由投切开关（投切方式）决定的。例如：如果投切开关为晶闸管类型（需12V直流电源触发控制），采用正尔ZM-PFC16T；如果投切开关为接触器投切，通过无源触点控制，采用ZM-PFC16R。配套保护装置由做无功补偿整柜方做柜子时提供，一般补偿供应商提供：电容器+电抗器+投切开关+功率因数控制器；由成套商提供补偿柜内其他保护元件，组成柜体供给客户。我们知道，整个阻抗曲线呈大V型，只有在谐振频率点附近的阻抗才比较低。所以，实际的去耦电容都有一定的工作频率范围，只有在谐振频率附近，电容才有很好的去耦作用。可能有人会觉得，在频率比谐振频率高一点的时候，电容都成感性了，都不是电容了，所以不能让噪声的频率大于电容的谐振频率。其实这是错误的，去耦就是要选阻抗低的，阻抗低，在电容上产生的电压波动就小，也就是噪声会小。
