我司高价回收为存亿光EVERLIGHT发光LED、回收全系列亿光产品；IR11-21C/TR8 IR11-21C/L491/TR8 PT11-21C/L41/TR8(GH) IR12-206C/L268/TR8(BN)(PGT) IR12-21C/TR8 IR12-21C/TR8 IR12-21C/TR8（NEO）（HFX） PT12-21B/TR8(GH) PT12-21B/TR8(GH)等亿光各种型号，当天报价当天交易，当天付款。
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"日前，VISHAY（威世）宣布，推出业内采用更小的0.8mm x0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---
Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDBTrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封装的占板
面积比仅次于它的更小芯片级器件更高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。
Si8802DB和Si8805EDB可用于
手持设备中的负载切换，包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在这些应用中，MOSFET的
0.357mm超薄身材能够节约宝贵的电路板空间，实现更小、更薄的移动产品。
发布的器件在1.5V下具有低导通电阻，
在栅驱动仅有1.2V的情况下也能导通。这样MOSFET能够使用手持设备中常见的低压电源轨，省却额外的电阻和用
于P沟道负载切换的电压源，从而简化设计，并能在N沟道负载切换中使两次充电之间的电池工作时间更长。
N沟道
Si8802DB在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的导通电阻为54m、60m、68m、86m和135m。器件封装的外形尺寸比仅
次于它的更小器件小36%，在1.8V和1.5V下的导通电阻分别低5.5%和7.5%。
P沟道Si8805EDB在4.5V、2.5V、1.5V和
1.2V下的导通电阻为68m、88m、155m和290m。Si8805EDB所占的电路板空间比仅次于它的更小P沟道器件少29%，在
4.5V、2.5V下的导通电阻分别低17%和8%。Si8802DB和Si8805EDB的更低导通电阻能够将负载切换过程中的电压降更
小化，防止出现有害的欠压闭锁。
器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，及RoHS指令2002/95/EC。Si8805EDB的
ESD保护为1500V。
新款Si8802DB和Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供
货周期为十二周到十四周。"
回收更新淘汰库存电子元件 ,回收交易地点库存电子元件 ,宿迁电子料回收 ,回收开发板/方案验证板 ,回收太仓随时到库存电子元件,回收无法进系统库存电子元件 ,回收各大省市库存电子元件 ,回收信号线/数据线 ,回收电力线滤波器模块
XC6SLX100 2FG676I
TLC2554IPW
PIC18F25J50-I/ML
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EFM8LB10F16ES1 C QFN32R
MCIMX6DP4AVT8ABR
EFM32TG822F8 D QFP48R
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