根据 EN 55015:2024 新修订版,照明设备在 300MHz-1GHz 频段的辐射限值为34dBμV/m(准峰值),且需采用耦合 / 去耦网络(CDN)法进行测试。测试时需注意:
负载匹配:使用 LED 电源专用测试负载模拟实际灯珠电流 / 电压特性,避免因负载不匹配导致辐射异常。
测试配置:确保电源线长度为 1m,输出线采用屏蔽线缆并良好接地,减少外部干扰耦合。
频段覆盖:重点扫描 200MHz-1GHz,尤其关注开关频率的高次谐波(如 2.3MHz 开关频率的 87 次谐波在 200MHz 附近)。
开关器件谐波:MOSFET 的快速开关动作(dV/dt>100V/ns)会产生丰富的高频谐波。例如,若开关频率为 1MHz,其 200 次谐波即落在 200MHz 频段。
变压器漏磁:未屏蔽的变压器磁芯可能成为辐射天线,尤其在 200MHz-500MHz 频段。
PCB 寄生参数:长距离高频走线(如驱动芯片的 PWM 信号线)的寄生电感会引发 EMI 辐射,环路面积每增加 1cm²,辐射强度可能提升 2-3dB。
缩短关键路径:将 MOSFET 驱动线、反馈线等高频信号线长度控制在 5cm 以内,并采用 “地线包裹” 设计(两侧铺地)。
优化地平面:确保功率地与信号地单点连接,避免地平面分割。可在变压器下方铺设完整铜箔,降低漏磁辐射。
分区分层设计:将功率电路与控制电路物理隔离,例如在两层 PCB 中,顶层布局功率器件,底层作为完整地平面。
输出端共模抑制:在输出线添加共模电感(如 TDK PC40 磁芯,电感量 100μH),并并联 100pF 高频电容(X7R 材质),抑制 200MHz 以上共模噪声。
变压器屏蔽:在原副边绕组间插入接地铜箔屏蔽层,磁芯外套马口铁屏蔽罩,可降低辐射 10-15dB。
铁氧体磁珠:在输出线两端套入镍锌铁氧体磁环(如 Fair-Rite 0431160001),对 200MHz-1GHz 频段的抑制效果可达 15dB 以上。
低 EMI 开关管:选用超结 MOSFET(如 Infineon IPW60R041C7),其寄生电容(Coss<200pF)和反向恢复电荷(Qrr<10nC)可降低高频振荡。
扩频频率调制:启用驱动芯片的频率抖动功能(如 MPS MPQ7200 的 FSS 技术),将能量分散至 20MHz 带宽,降低特定频段峰值。
缓冲电路优化:在 MOSFET 两端并联 RCD 缓冲电路(R=100Ω,C=100pF,D = 快恢复二极管),抑制开关尖峰电压至 100V 以下。
整改后测试流程
预测试:在 3 米法暗室中使用双锥天线(30MHz-1GHz)进行全频段扫描,记录整改前后的辐射曲线。
定位验证:对整改后的关键点(如变压器、输出线)进行近场探头扫描,确认辐射源是否消除。
负载验证:测试空载、半载、满载工况下的辐射差异,确保兼容性。
典型整改案例
生产一致性:在批量生产中,严格控制共模电感绕制工艺(如匝数误差 < 5%)和 PCB 层间阻抗(公差 ±10%),避免因工艺波动导致辐射复发。
环境适应性:针对高温、潮湿等恶劣环境,可在 PCB 表面涂覆三防漆,并增加导热硅胶片提升散热,防止器件参数漂移引发 EMI 恶化。
标准跟踪:定期关注 CISPR 15 标准更新动态,例如 2024 版新增的模块化术语定义和测量不确定度评估要求,确保产品持续合规。