制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFSL3207ZPBF
描述
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 通孔 N 沟道 pval(2068) 120A（Tc） 300W（Tc） TO-262
一般信息
数据列表IRFB3207ZPbF, IRFS(L)3207ZPbF;
标准包装 1,000包装 管件 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（Zui大 Rds On，Zui小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值） 4.1 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值） 4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值） 170nC @ 10V
Vgs（Zui大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值） 6920pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（Zui大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-262
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
