高漏电流还会导致暗硅和暗记忆的问题。我们芯片中可能有很多晶体管，但大多数晶体管必须保持关断以防止芯片过热和熔化。所有这些OFF状态的晶体管大量占用了可用于放置其他元件的空间。这导致一个问题：我们真的需要更小，还是我们改进现有的芯片设计？考虑到所有这些因素，英特尔首席执行官和国际半导体技术路线图表示，旺诠合金电阻纳米可能是能达到的极限尺寸。预计5纳米将在2021年首次亮相。那么在那之后我们还能期待什么呢？摩尔定律并指出随着晶体管变小，它们的功率密度也会降低。这意味着随着晶体管变小，操作它们所需的电压和电流量也将减少。这个定律允许制造商减少晶体管的尺寸，并通过每次迭代的大幅跳跃来提高时钟速度。通过改进当前的芯片实现并具有更好的指令流水线，我们可以改善芯片的性能。斯坦福的教授乔纳森·库梅提出了库梅定律。
