效率 U-MOSVIII-H系列在重负载和轻负载的测试条件下，提供相较竞争对手更高的效率；如下图所示*相同的效率。系列提供了业界Zui高的性能，芯片单位面积的导通电阻，使得它非常适合需要更高的效率，更小的尺寸等应用程序。应用范围相对于U-MOS VII-H，U-MOS VIII-H系列是适用于范围广泛的VDSS RDS点，U-MOSVIII-H系列能够满足各种应用的要求。
电源IC，其中包含一个输出MOSFET和输出驱动器采用CMOS工艺制造。负载开关IC版本提供了小面积的解决方案。负载开关IC可提供低工作电压，低导通电阻和低电流消耗，并提供额外的功能。超小型封装，尺寸小于1平方毫米，东芝的负载开关IC在便携式应用的空间考虑下，是为理想选择。收组件的输入侧和输出侧的电绝缘，但由光信号传送。有多种提供的输出类型，结合下一个阶段的接口。东芝光耦合器的特征 1. 较高的工作温度光电耦合器设计用于高速和IGBT驱动器的应用程序，利用东芝的高可靠性的GaAlAs红外发光二极管组合，以提供一个有保证的高温作业可达125°C，寿命长。
