让我们计算导致辐射EMI辐射的电路中的寄生电感和电容。在波形显示了在布局中处于OFF状态时Q1两端的电压。已经演示了缓冲器的计算和Q1两端的振铃电压的阻尼。但是，RC缓冲器会增加转换器中的功率损耗，而电路中这种增加的功率损耗会浪费在RC缓冲器本身中。牢记效率，设置RC缓冲器非常重要。已尝试使用多个缓冲值来观察对Q1两端的开关节点的效率和振铃电压的影响。表2、3和4列出了Q1上没有缓冲和具有不同RC缓冲的布局的效率结果。显示了在Q1两端添加了缓冲器的降压转换器的原理图。已经证明了不同的RC缓冲器对Q1两端的效率和振铃电压的影响。选择4.7Ω和47pF的缓冲值以在转换器中产生较小的损耗并实现高效率，并使噪声电平远低于B级限制。图17和图18显示了Q1的电压波形，以及Q1两端具有的缓冲器的EMI发射。测试结果以很小的余量通过了限制。EMI辐射随着PCB布局的改善而改善。适当的RC缓冲器可降低噪声，有助于以超过6dB的余量通过CISPR32B类限制，而不会影响降压转换器的效率。
