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完成基于方案的设计，仅需要增加外部电路来驱动和保护MOSFET。经过测试方案降低了功率损耗，提高了能效，降低了工作温度，且方案占用的PCB面积约为等效二极管桥的一半。符合IEEE802.3bt标准的包含两个N沟道和两个P沟道100V级MOSFET，以及所有必要的门极驱动器。该器件无需外部电路来驱动或保护，提供Zui低的。与传统的二极管桥方案相比，基于的方案的功耗可好达10倍。整体系统尺寸不到传统二极管桥方案的1/4。在此过程中，PSE根据PoE标准识别PD设备的类型和类别，确保其获得适当和安全的电量。新的通用标准与现有标准向后兼容，但在两个关键方面有所不同。通过使用PoE电缆中的所有四对布线，增加PSE可提供的输出功率；通过识别两个新的类型和四个新的类别的设备，提高能效。