回收报废芯片高价回收-回收内存芯片
还具有耐压高（高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
高价回收工厂积压电子料、收购、回收IC芯片、回收驱动ic、回收ic、回收mtk芯片、回收电子ic、回收MCU单片机、回收电子产品、回收电子元件、回收电子零件、回收二三极管、回收电阻电容、回收钽电容、回收电感、回收电位器、回收连接器、回收晶振、回收滤波器、回收变压器、回收功率模、回收IGBT模块、回收霍尔元件、回收发光管、回收继电器、回收PCB线路板等电子元器件，倒闭电子厂等库存，现金交易，上门服务，!可香港看货交易，为广大外资企业提供了足够的便利.
场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一.回收手机料：收购、回收手机芯片、回收手机ic、回收手机内存、回收手机字库、收购手机内存卡、回收手机主板、回收手机线路板、回收手机cpu、回收手机等电子料
二.回收内存：收购，回收内存芯片、回收内存条、回收内存卡、回收内存字库、回收FLASH闪存、回收SDRAM、回收DRAM、回收SRAM、回收DDR、回收Memory、回收DDR、回收DDR、回收DDR3、回收GDDR、回收SDRAM，原装-新旧-折机-带板FLASH,DDR,GDDR/带板DDR颗粒：K4T/K4B/H5PS/H5TQ/NT5/EDJ/EDE/K9开头等，SRAM、DDR、GDDR,GDDR2,GDDR3,SDRAM、Memory、内存条等存储器，回收三星、现代、镁光、东芝、ST品牌FLASH闪存。
三.回收卡类：收购，回收TF卡，回收CF卡,回收MMC卡，回收SD卡,回收SSD卡,回收记忆棒,回收固态硬盘,回收RS卡,回收R4卡,回收M2卡,回收XD卡，回收好坏U盘，MP3/MP4/MP5/SSD卡。
③测量放大能力(β)：目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。
四.回收主板：收购，回收平板电脑主板，回收手机主板，回收电子书主板，回收笔记本主板，回收数码相框主板，回收游戏机主板，回收SSD固态硬盘，回收内存条，回收CPU。
2．直流工作电压测量这是一种在通电情况下，用万用表直流电压挡对直流供电电压、外围元件的工作电压进行测量；检测ic各引脚对地直流电压值，并与正常值相较，进而压缩故障范围， 出损坏的元件。测量时要注意以下八 ： (1)万用表要有足够大的内阻，少要大于被测电路电阻的10倍以上，以免造成较大的测量误差。
五.回收3G模块：收购，回收WiFi模块，回收WCDMA模块,回收CDMA模块，回收模块，回收3G通话模块，MTK/高通/三星/手机套片、手机EMMC，MCP，SLC，MLC，TLC等
回收报废芯片高价回收-回收内存芯片
拔离时可配合烙铁头熔锡等动作。
注意事项： （1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。