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还具有耐压高（高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
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场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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③测量放大能力(β)：目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。
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2．直流工作电压测量这是一种在通电情况下，用万用表直流电压挡对直流供电电压、外围元件的工作电压进行测量；检测ic各引脚对地直流电压值，并与正常值相较，进而压缩故障范围， 出损坏的元件。测量时要注意以下八 ： (1)万用表要有足够大的内阻，少要大于被测电路电阻的10倍以上，以免造成较大的测量误差。
五.回收3G模块：收购，回收WiFi模块，回收WCDMA模块,回收CDMA模块，回收模块，回收3G通话模块，MTK/高通/三星/手机套片、手机EMMC，MCP，SLC，MLC，TLC等
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拔离时可配合烙铁头熔锡等动作。
注意事项： （1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。