鸿展电子回收MITSUBISHI，SUNX，KEYENCE，SICK，Baumer，P+F，BALLUFF，BANNER，IFM，TURCK，Panasonic，CONTRINEX，BR与巴赫，
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三菱
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AB
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欧姆龙
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施耐德
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"全球的半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1
）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与
瑞萨联合开发的技术，有助于实现低功耗。与瑞萨采用传统硅（Si）的现有功率器件相比，其功耗大约降低了40%。
更近，为了促进环境保护，很多客户对能电源电路的需求日益
增长。空调、通信基站、PC服务器和太阳能阵列等使用电源转换电路或逆变电路的产品，对更的电源转换有着特别强劲的需求。因此，这些电源转换电路中所用的二管需要提供更
快的转换速度，并可以低压工作。于是，瑞萨开发了这款全新SiC SBD来满足上述需求。
RJS6005TDPP的主要特性：
更快的转换速度，其损耗较之现有产品降低了40% 全新
RJS6005TDPP SiC SBD的反向恢复时间（注2）为15纳秒（标准值：测量条件IF = 15 A，di/dt =300 A/µs），与现有瑞萨硅电子产品相比，其速度快了大约40%。这可以实现更
快的转换速度，与瑞萨硅基产品相比降低了大约40%的功耗。
此外，当温度升高时，反向恢复时间不会降低，从而在高温环境下工作时可实现始终如一的低转换损耗。
(2) 低压工
作这款全新SiC-SBD的额定电压（正向降压，VF）仅1.5伏（V），低于现有的硅快速触发二管产品的额定电压。此外，该SiC-SBD的温度依赖性较小，可确保获得稳定的正向电压—
—即使在高温条件下。这意味着可使用更紧凑的散热设计，以降低成本，并减小产品体积。
这款全新RJS6005TDPP SiC-SBD应用相当于工业标准的TO-220封装，并可实现引脚兼容
。这意味着RJS6005TDPP SiC SBD可轻松地用于替代现有印刷电路板上传统的硅二管。
瑞萨电子全新功率器件的产品阵容颇为强大，电流从3A至30 A不等，额定峰值电压为600 V
这些功率器件专用于满足空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统对能的需求，同时，计划推出额定峰值电压为1200V的产品系列。瑞萨努力为客户提供结合MCU和模拟及
功率器件的整体解决方案，矢志成为的功率器件供应商。瑞萨计划增强套件解决方案和复合半导体器件，以全新高压SiC-SBD功率器件为核心，并辅以外围电源控制IC、高性能IGBT
、高压超结MOSFET和光电耦合器。
（注1）碳化硅（SiC）：这种材料在热导率、允许的工作温度、辐射暴露及缘击穿场强等特性上优于硅，具有用于低损耗功率器件的巨大潜力。
（注2）反向恢复时间：当二管在规定的正向电流已流过后从导通状态转换至关闭状态，由于在结中积累了少量载流子，因而将存在反向电流。反向恢复时间表示在切换至关闭状态
后恢复到规定电流值所需的时间。"
"兰宝公司更新推出远距离小角度光电传感器PSJ系列，发射角度小，仅为3-5°，产品小巧精致，远距离对射，对射指向角小，具有反性保护、齐纳保护，此外该传感器使用温度范
围广泛，使用环境温度范围宽-20℃－－+55℃。可广泛应用于交通系统的进出口控制，超市、商场等公共场合的人流控制，自动化产线和运输件的自动处理等。
该产品具有以下特
点：
1. 产品小巧精致
2. 远距离对射，对射指向角小
3. 具有反性保护、齐纳保护
4. 检测距离为1.5m
5. 可检测Φ6mm以上不透明体
6. 使用环境温度范围宽，-20℃－－+55℃
7. 抗
环境光，白炽灯：3000Lx，太阳光：10000Lx"
M2GL025TS-1FGG484
AGL125V2-VQ100
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