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　　器件的结温等于Zui大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=Zui大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的Zui大功率耗散，即按定义相等于I2。由于设计人员已确定将要通过器件的Zui大电流，可以计算出不同温度下的RDS。在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量；即要求印刷电路板和封装不会立即升温。半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。计算额定雪崩电压有两种方法；一是统计法，另一是热计算。而热计算因为较为实用而得到广泛采用。除计算外，技术对雪崩效应也有很大影响。例如，晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，Zui终提高器件的稳健性。对Zui终用户而言，这意味着要在系统中采用更大的封装件。