晶体振荡器的振荡器频次
振荡电路中，一个晶体管和一个线圈 -电容由连接的组合是电路依赖振荡条件（哈特莱振荡器的Colpitts振荡器电路，等等）。在这些电路中，当将晶体谐振器连接到需要线圈作为振荡条件的部分时，可以获得固有频率的振荡输出。该频率可以很容易地以106的数量级获得，因此被广泛用作频率和时间的参考。
由于晶体的大小，许多实际使用的晶体振荡器约为1-20MHz。当需要更高的频率时，将执行泛音振荡（或可将用于高频的晶体单元用于泛音），或者使用倍频器。
由于晶体单元的振荡频率本身是由晶体单元的特性决定的，因此基本上不能改变。因此，在无线通信等中，可以采用根据所使用的频率来更换晶体单元的方法。然而，通过调整外部电容，±0几个％是约并应用此可能微调VXO（可变晶体振荡器），以允许电压控制将被替换为可变电容二极管的电容的VCXO（压控晶体振荡器，单片机有源晶振价格，VCXO）具有电路，例如。此外，晶体振荡器和电压控制振荡器，一个数字电路，由于计数器组合电路和相位比较器等的频率合成器通过，所以能够获得任意的频率稳定的输出信号。
振荡器的常见指标
初始准确率:指振荡器上电工作某一段短时间内的频率准确度:—般为开机八分钟至30分钟，25度室温，需要等到晶振稳定工作
老化率:振荡器在工作一段时间后由于内部结构的改变引起的频率偏移
引起原因:不同的热膨胀系数、焊接材料在凝固、加工时尺寸的改变、由于成型，焊接时的残余应力，电极的内应力、石英在生长中的不均匀，杂质和其他缺陷、切割，点清晰和腐蚀引起的表面破坏的影响、电极应力和支架为对准的弯矩，晶格内部产生局部化应力产生的破坏
根据测试时长老化率一般分日老化率、月老化了、年老化率。
选择振荡器时需要考虑哪些因素
选择振荡器时需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。
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