AOS美国万代AO3480C N沟道增强模式场效应晶体管 30V功率MOSFET方案

　　AO3480C一般说明：

　　沟道功率MOSFET技术30V

　　•低RDS（ON）

　　•低栅极电荷

　　•符合RoHS和无卤素标准

　　AO3480C特征：

　　VDS

　　ID(at VGS=4.5V)6.2A

　　RDS(ON)(at VGS=10V)<20mΩ

　　RDS(ON)(at VGS=4.5V)<26mΩ

　　AO3480C一般的描述：

　　•沟槽功率MOSFET技术30V

　　•低RDS(上)

　　•门电荷低

　　•RoHS和无卤素兼容

　　AO3480C产品目录:

　　VDS公司

　　ID(at VGS=4.5V)   6.2A

　　RDS(上)(vg=10 v)   20 mΩ

　　在vg RDS(上)(=4.5 v)    26 mΩ

　　AO3480C防静电保护

　　A.RqJA的值是用2oz的装置安装在1in2FR-4板上测量的。铜，在TA=25℃的静空气环境中。的价值在任何给定的应用取决于用户的具体板设计。

　　B.功耗PD基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的接点-环境热阻。

　　C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ(MAX)=150℃限制。额定值是基于低频和占空比来保持的initialTJ=25°C。RqJA是从结到引线RqJL和引线到环境的热阻抗之和。

　　E.图1到6中的静态特性是使用小于300ms的脉冲，占空比为0.5%获得的。

　　F.这些曲线是基于在1in2上安装的装置测量的接点到环境的热阻抗FR-4板与2盎司。假设TJ(MAX)的结温=150℃。SOA曲线提供了一个单一的脉冲额定值。

　　答：RθJA的值是通过将设备安装在2盎司1英寸2FR-4板上的测量得到的。铜，在TA=25°C的静止空气环境中。任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。额定电流基于t≤10s的热阻额定值。B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

　　C.RθJA是结到引线RθJL和引线到环境的热阻之和。

　　D.图1至图6中的静态特性是使用<300µs脉冲获得的，占空比为0.5％。

　　E.这些测试是在设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的情况下进行的。在TA=25°C的静止空气环境中的铜。SOA曲线提供单个脉冲额定值。