特征
Si-PIN和InGaAs-PIN光电二极管
波长范围为320至1700 nm
超宽带宽，从10 kHz到2 GHz
ZUI大转换增益4.75 x 103 V / W.
ZUI小NEP 11 pW /√Hz
GHZ技术
通过将先进的光电二极管与经过验证的出色的FEMTOGHz放大器技术相结合，我们设计了一系列具有卓越性能的新型光电接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2GHz的带宽上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管，光谱范围分别为320至1000nm和900至1700nm。由于采用先进的放大器设计，小NEP仅为11pW√Hz，互阻抗为5 x 103 V / A.这允许以GHz速度测量μW范围内的光功率水平。
应用
光谱
快速脉冲和瞬态测量
光学触发
用于示波器和A / D转换器的光学前端（O /E转换器）
Model | HSA-X-S-1G4-SI | HSPR-X-I-1G4-SI inverting | HSA-X-S-2G-IN | HSPR-X-I-2G-IN |
Photodiode | Ø 0.4mm Si-PIN | Ø 0.1mm InGaAs-PIN | ||
SpectralRange | 320 ...1000 nm | 900 ...1700 nm | ||
Bandwidth(−3 dB) | 10 kHz... 1.4 GHz | 10 kHz... 2 GHz | ||
Rise/FallTime (10 % - 90%) | 250ps | 180ps | ||
Transimpedance Gain | 5 x103 V/A | 5 x103 V/A inverting | ||
ConversionGain | 2.55 x103 V/W (@ 760nm) | 4.75 x103 V/W (@ 1550nm) | ||
NEP(@ 100MHz) | 32 pW/√Hz (@ 760 nm) | 19pW/√Hz | 16 pW/√Hz (@ 1550 nm) | 11 pW/√Hz |
OutputVSWR | 2.5 :1 | 1.4 :1 | ||
MaximumOutput Voltage @ 50 Ω | 1.9VPP | 2.0VPP | ||
OutputNoise | 3.6mVRMS | 2.5mVRMS | ||
AvailableInput Options | Freespace (FS) or FC |
