制造商编号：FDN342P
制造商：onsemi / Fairchild
说明：MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: 贴片/贴片
封装 / 箱体: SSOT-3
晶体管极性: P-通道
通道数量: 1个频道
Vds-漏源极击穿电压: 20伏
Id-连续漏极电流: 2A
Rds On-漏源导通电阻: 62 毫欧
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 伏，+ 12 伏
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5V
Qg-栅极电荷: 9 纳克
Zui小工作温度: - 55 摄氏度
Zui大工作温度: + 150 摄氏度
Pd-功率耗散: 500 毫瓦
通道模式: 增强
商标名: 动力战壕
封装: 卷轴
封装: 剪胶带
封装: 鼠标卷轴
商标: onsemi / 仙童
配置: 单身的
下降时间: 8 纳秒
正向跨导 - Zui小值: 7秒
高度: 1.12 毫米
长度: 2.9 毫米
产品: MOSFET 小信号
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 纳秒
系列: FDN342P
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFET
晶体管类型: 1 个 P 通道
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 9 纳秒
典型接通延迟时间: 20 纳秒
宽度: 1.4 毫米
零件号别名: FDN342P_NL
单位重量: 30 毫克
