该N-沟道功率MOSFET利用STripFET?F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
制造商编号：STD140N6F7
制造商：STMicroelectronics
说明：MOSFET LGS LV MOSFET
制造商: 意法半导体
产品种类: MOSFET
RoHS： 详细信息
技术: Si
安装风格: 贴片/贴片
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N通道
通道数量: 1个频道
Vds-漏源极击穿电压: 60伏
Id-连续漏极电流: 80 安
Rds On-漏源导通电阻: 3.1 毫欧
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 伏，+ 20 伏
Vgs th-栅源极阈值电压: 2伏
Qg-栅极电荷: 55 纳克
Zui小工作温度: - 55 摄氏度
Zui大工作温度: + 175 摄氏度
Pd-功率耗散: 134 瓦。
通道模式: 增强
商标名: StripFET
封装: 卷轴
封装: 剪胶带
封装: 鼠标卷轴
商标: 意法半导体
配置: 单身的
下降时间: 20 纳秒
产品类型: MOSFET
上升时间: 68 纳秒
系列: STD140N6F7
2500
子类别: MOSFET
晶体管类型: 1 N 通道
典型关闭延迟时间: 39 纳秒
典型接通延迟时间: 24 纳秒
单位重量: 330 毫克
