芯片可靠性测试、ESD测试、失效分析

芯片可靠性验证 (RA)：

芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；

温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；

温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速应力试验(HTST / HAST), JESD22-A110； 

高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108； 

芯片静电测试 (ESD)：

人体放电模式测试(HBM), JS001 ；

元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；

闩锁测试(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 (FA)： 

光学检查(VI/OM) ；

扫描电镜检查(FIB/SEM) 

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；

Micro-probe;

聚焦离子束微观分析(FIB)； 

弹坑试验(cratering) ；

芯片开封(decap) ；

芯片去层(delayer)；

晶格缺陷试验(化学法)；

PN结染色 / 码染色试验；

推拉力测试(WBP/WBS)；

红墨水试验：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)；

Raman (Raman光谱)；

AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)；

GRGT团队技术能力：

•集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控

•集成电路竞品分析、工艺分析

•芯片级失效分析方案turnkey

•芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计

•静电防护失效整改技术建议

•集成电路可靠性验证

•材料分析技术支持与方案制定

半导体材料分析手法