HGTG30N60B3D 是一个 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的特性。此器件具有 MOSFET的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT是开发型 TA49170。与 IGBT 防并联使用的二极管是开发型 TA49053。此 IGBT适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如：交流和直流电机控制、电磁阀电源和驱动器、继电器和接触器。
600V, TC = 25°C 600 V 开关 SOA 能力 典型下降时间： TJ=150°C 时为 90ns
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