九齐8位单片机NY8A054E

一. 产品概述：

NY8A054E是以EPROM作为存储器的 8位单片机，专为多组PWM的应用而设计。例如灯控，遥控车应用。采用CMOS制程并提供客户低成本、高性能、及高性价比等。NY8A054E核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编程和控制，共有55条指令。除了少数指令需要两个指令时钟，大多数指令都是一个指令时钟能完成，可以让用户轻松地以程序控制完成不同的应用。非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。

在 I/O 的资源方面，NY8A054E 有 14 根弹性的双向 I/O 脚，每个 I/O脚都有单独的寄存器控制为输入或输出脚。每一个 I/O脚位都能通过控制相关的寄存器达成如上拉或下拉电阻或开漏（Open-Drain）输出。针对红外线摇控的产品方面，NY8A054E内置了可选择频率的红外载波发射口。

NY8A054E 有三组定时器，可用系统时钟当作一般的计时应用或者从外部讯号触发来计数。NY8A054E 提供 5组 10 位的PWM 输出，1 组蜂鸣器输出，可用来驱动马达、LED、或蜂鸣器等等。

NY8A054E 采用双时钟机制，高速振荡时钟或者低速振荡时钟都由内部 RC 振荡或外部晶振输入。在双时钟机制下，NY8A054E可选择多种工作模式如正常模式（Normal）、慢速模式（Slow mode）、待机模式（Standby mode）与睡眠模式（Haltmode），可节省电力消耗，延长电池寿命。并且单片机在使用内部 RC 高速振荡时，低速振荡可以使用外部精准的晶振计时。可以维持高速处理又能精准计算真实时间。

在省电的模式下，如待机模式（Standby mode）与睡眠模式（Halt mode）中，有多个中断源可以触发来唤醒NY8A054E进入正常操作模式（Normal mode）或慢速模式（Slow mode）来处理突发事件。

二、NY8A054E 功能特点：

● 宽广的工作电压：

2.0V ~ 5.5V @系統时钟 ≦8MHz。

2.2V ~ 5.5V @系統时钟 >8MHz。

● 宽广的工作温度：-40°C ~ 85°C。

● 2Kx14 位的程序存储器空间。

● 128 字节的通用数据存储器空间。

● 14 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚（GPIO）、PA[7:0]、PB[5:0]。

● PA[5:0]及PB[3:0]可选择输入时使用内部下拉电阻。

● PA[7:0]及PB[5:0]可选择输入时使用内部上拉电阻。

● PB[5:0]可选择内部上拉电阻或开漏输出（Open-Drain）。

● PA[5]可选择当作输入或开漏输出（Open-Drain）。

● 8 级深度硬件堆栈（Stack）。

● 访问数据有直接或间接寻址模式。

● 一组 8 位上数定时器（Timer0）包含可编程的预分频器。

● 二组 10 位下数定时器（Timer1,3）可选自动重载或连续下数计时。

● 五个 10 位的脉冲宽度调变输出（PWM1、2、3、4、5），PWM1/2 共享Timer1；PWM3/4/5共享Timer3。

● 一个蜂鸣器输出（BZ1）。

● 38/57KHz红外线载波（IR）频率可供选择，载波之极性也可以通过寄存器选择。

● 内置准确的低电压侦测电路（LVD）。

● 内置准确的电压比较器（Voltage Comparator）。

● 内置上电复位电路（POR）。

● 内置低压复位功能（LVR）。

● 内置看门狗计时（WDT），可由配置字节（Configuration Word）控制开关。

● 内置电阻/频率转换器（RFC）功能。

● 双时钟机制，系统时钟可以随时切换高速振荡或者低速振荡。

高速振荡时钟：
E_HXT （超过 6MHz外部高速晶振）

E_XT （455K~6MHz外部晶振）

I_HRC （1~20MHz內部高速RC振荡）

低速振荡时钟：
E_LXT （32KHz外部低速晶振）

I_LRC （內部 32KHz低速RC振荡）

● 四种工作模式可随系统需求调整电流消耗：正常模式（Normal mode）、慢速模式（Slow mode）、待机模式（Standbymode）与睡眠模式（Halt mode）。

● 八种硬件中断：

Timer0 上溢中断；

Timer1 下溢中断；

Timer3 下溢中断；

WDT中断；

PA/PB输入状态改变中断；

两组外部中断；

低电压侦测中断；

● NY8A054E在待机模式（Standby mode）下的八种唤醒中断：

Timer0 上溢中断；

Timer1 下溢中断；

Timer3 下溢中断；

WDT中断；

PA/PB输入状态改变中断；

两组外部中断；

低电压侦测中断。

● NY8A054E在睡眠模式（Haltmode）下的三种唤醒中断：WDT中断；PA/PB输入状态改变中断；两组外部中断。