内存,闪存颗粒制造厂商主要以三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)、美光(Micron)、铠侠(原Toshiba)、Intel、闪迪(Sandisk)等为代表的几大厂商。
在国外NAND Flash主导市场的现状下,中国NANDFlash厂商长江存储(YMTC)异军突起在市场中占据一席之地,其推出的128层3D NAND在2020年第1季将128层3DNAND样品送交存储控制器厂商,目标第3季进入投片、量产,拟用于UFS、SSD等各类终端产品,并同时出货给模块厂,包含TLC以及QLC产品,以扩大客户基础。
NAND Flash的应用及发展趋势
NAND Flash作为一种比较实用的固态硬盘存储介质,有自己的一些物理特性。NANDFlash的寿命不等于SSD的寿命,SSD盘可以通过多种技术手段从整体上提升SSD的寿命,通过不同的技术手段,SSD盘的寿命可以比NANDFlash寿命提升20%~2000%不等。
反过来讲SSD的寿命不等于NAND Flash的寿命,NAND Flash的寿命主要通过P/Ecycle来表征,SSD由多个Flash颗粒组成,通过盘片算法,可有效发挥颗粒寿命。
基于NANDFlash的原理和制造工艺,所有主要的闪存制造商都积力于开发不同的方法,以降低每比特闪存的成本,同时正在积极研究增加3D NANDFlash中垂直层的数量。
随着3DNAND技术的快速发展,QLC技术不断成熟,QLC产品也已开始陆续出现,可以预见QLC将会取代TLC,犹如TLC取代MLC一样。而且,随着3DNAND单die容量不断翻倍增长,这也将推动消费类SSD向4TB迈进,企业级SSD向8TB升级,QLC SSD将完成TLCSSD未完成的任务,逐渐取代HDD,这些都逐步的影响着NAND Flash市场。
研究统计范围包括8 Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的SLCNAND闪存,产品应用于消费电子产品、物联网、汽车、工业、通信和其他相关行业。
国际原厂引领3D NAND 技术发展,在 NAND Flash 市场中,三星、铠侠(东芝)存储、美光、SK海力士、闪迪、英特尔这六家原厂长期垄断着全球 99%以上的份额。
此外,国际原厂持续引领着3D NAND技术研发,形成了较为厚实的技术壁垒。但各原厂在设计方案上的差别将会对其产出产生形成一定影响。三星、SK海力士、铠侠、闪迪已经相继发布100+层3D NAND产品。
当前阶段,NAND Flash 市场的发展主要受到智能手机和平板电脑需求的驱动。相对于机械硬盘等传统存储介质,采用NANDFlash 芯片的SD卡、固态硬盘等存储装置没有机械结构,无噪音、寿命长、功耗低、可靠性高、体积小、读写速度快、工作温度范围广,是未来大容量存储的发展方向。随着大数据时代的到来,NANDFlash 芯片将在未来得到巨大发展。