回收控制器芯片
采用flash介质时一个需要考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
TPS2543RTER
TPS62130AQRGTRQ1
TPS61096ADSSR
TPD4S010DQAR
LM337LM/NOPB
SN74LVC1T45QDCKRQ1
TXS0102YZPR
TPS54225PWP
INA193AMDBVREP
TPS259270DRCR
SN65HVD1050DR
TPS259530DSGR
TL343IDBVT
AM26LV32IDR
ISO7321CDR
SN74LVC1T45DRLR
ISO7221BDR
CSD18532Q5B
TS3USB221ERSER
ADS1246IPWR
TS5A4624DCKT
TS5A4624DCKR
TS5A3157DBVR
