光刻胶别名为光制抗蚀剂，是通过各种射线的照射来融化分解易发生变化的薄膜材料。
光刻胶因其材质的特殊性、产品品种较多、技术性要求强等标准，使光刻胶在电子工业制造中的要求较为严格。
1、对比度，指光刻胶从曝光区域到非曝光区域过渡的陡度，对比度越好，得到的图形越好；
2、感光度，指在胶膜上产生一个良好图形所需一定波长的光的能量值，即曝光量。
3、分辨率，是光刻工艺的一个特征指标，表示在基材上能得到的立体图形良好的z小线路；4、残膜率，经曝光显影后，未曝光区域的光刻胶残余量；
5、粘附性，蚀刻阶段，光刻胶有抗蚀刻能力；
6、涂布性，光刻胶在基材表面形成无针孔、无气泡、无缺陷、膜厚均一；
7、洁净度，对微粒子和金属离子含量等材料洁净度的影响；
8、耐热性，光刻工艺中，经过前烘使光刻胶中的溶剂蒸发，得到膜厚均一的胶膜。
光刻胶在微电子加工图形技术中作为关键材料，它作用于多种工艺的光敏性材料，用技术在特殊材料上形成图案，所以光刻胶配方分析技术在行业中起到更新晚上产品缺陷的作用，挪亚检测具有的技术研发储备，以客户的生产研发目标为己任，提供完善的配方分析技术，帮助企业了解z新行业产品动态。
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