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行业资讯速览：

骁龙8行业的移动游戏技术，为黑鲨5 Pro的游戏体验提升提供了强大助力，带来专业级游戏体验。骁龙8支持第4代SnapdragonEliteGaming，带来50多项先进的游戏特性，包括众多移动端的端游级游戏技术创新，例如端游级立体渲染、可变分辨率渲染进阶版VRSPro、Adreno图像运动引擎等等，能够带来丝滑、细腻、逼真的游戏画面效果。第4代Snapdragon EliteGaming还支持超流畅游戏体验，黑鲨5Pro现已支持诸多高帧率游戏资源，包括多个热门手游的144Hz、120Hz和90Hz版本，为玩家提供更为流畅细腻的视觉感受。在骁龙8第7代高通AI引擎强大AI算力的加持下，黑鲨5Pro首次将AI超分技术应用到场景，用户可以在观看时开启画质增强功能，即刻畅享高画质内容，带来的游戏和影音视觉体验。

深圳市鹏和科技有限公司是一家专业从事半导体集成电路销售与配套服务的独立分销企业，公司2006年成立至今，积累了大量代理以及分销渠道，重点面向终端应用企业及单位、高校、实验室、加工厂等提供电子元器件采购一站式的供应链服务。公司客户遍及新能源、制造、器械、军事、航天、安防以及工业控制等诸多领域。

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鹏和科技主营品牌介绍：

2014年，汉高收购Bergquist公司，有效地扩大了汉高在电子材料开发领域的地位，包括进的热控制产品。Henkel的BERGQUISTGAP PAD®GAP filling thermal interfacematerials（TIMs）是一种柔软、柔顺的预切割焊盘，可在降低装配应力的提供优异的导热性。液体BERGQUIST间隙填充TIM可以自动分配，非常适合于要求复杂尺寸和/或高吞吐量的应用。扩展的热解决方案组合还包括SILPAD®导热绝缘体、BOND PLY®热粘合剂、HI-FLOW®相变材料和TCLAD®绝缘金属基板（IMS®）。
英飞凌CoolSiC™ 1700VSiC沟槽MOSFET采用性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。
CoolSiC 1700V SiC沟槽式MOSFET可以直接由反激式控制器驱动，通过减少冷却工作量来提率。

英飞凌CoolSiC 1700VSiC沟槽式MOSFET非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。

2013年，鹏和科技荣获电子装备产业博览会颁发的“电子装备Zui具创新潜力奖”，十六年来，鹏和科技坚持以创新为驱动，以质量为生命，贯彻严谨科学的工匠精神，并致力于成为电子元器件行业极具竞争力、影响力的服务商。



元器件小常识：
电子元器件是具有其独立电路功能、构成电路的基本单元。它是电容、电阻，晶体管，等电子器件的总称。是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分；常用电子元器件有电阻、电容器、电位器，开关等；生活中的任何电子电路都是由元器件组成的。

应用领域：

处理器：应用程序本质上是安全关键的，处理器或微控制器必须提供足够高的性能水平，以确保可靠、实时的控制。除了能够快速执行代码外，微控制器还可用于其特定应用的集成外围设备。仪表盘MCU通常包括一个集成CAN和/或LIN收发器，用于与位于整个车辆中的各种传感器进行通信。如前所述，微控制器还可以配备用于驱动各种仪表的步进电机驱动器。


PID自整定开始后，只有过程反馈值超出了该区域，PID自整定调节器才会认为它对输出的改变发生了效果。这个值用来减少过程变量的噪声对自整定的，从而更地计算出过程系统的自然振动频率。如果选用自动计算，则缺省值为2％。如果过程变量反馈信号较强（噪声大）自然变化范围就大，可能需要人为设置一个较大的值。但这个值的改变要与下面的偏差值保持1:4的关系。偏差：偏差值决定了允许过程变量偏离设定值的峰峰值。
下图为极磁铁与各向同性磁铁的步进电机在12V额定电压下的阻尼特性的比较。据此，时间方面，使用极磁铁的稳定时间长。但若降低驱动电压（降低为8V），则如下图所示，极磁铁的稳定时间变短。磁铁强的电机调整激磁电压（电流）时，稳定时间将变小。上图为几种电流的暂态特性。电流在转子转速大时会减小，此为受到反电势的影响所致。各向同性磁铁与极磁铁的周期比较，后者变短，振荡次数相同约为4，后者的稳定时间变短。

KM只有后端一根线接通，形不成回路，不能吸合。左侧主回路当中KM三个主触点也就无法闭合，电机无法通电，停止。当按下SB2以后，如下：4中看出，由于SB2常开闭合，电流通入KM线圈，KM吸合，主触点闭合，电机转动，KM常开辅助触点闭合。5中看出，松开SB2按钮，SB2常开触点断开，但仍有电流通过KM常开点流入KM线圈，保持KM继续吸合，电机继续转动，这就是自保，也叫自锁。6如，要停止时，按下停止按钮SB1，常闭点断开，切断电流，KM释放，电机停止，KM常开辅助触点断开。