坪山回收运放IC,电源IC

2023-10-19 09:15 113.90.116.173 1次
发布企业
深圳市邵昕电子科技有限公司商铺
认证
资质核验:
已通过营业执照认证
入驻顺企:
3
主体名称:
深圳市邵昕电子科技有限公司
组织机构代码:
91440300MA5GNWA31D
报价
人民币¥88.88元每个
关键词
坪山回收运放IC,电源IC
所在地
深圳市福田区华强北街道佳和华强大厦
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产品详细介绍

图司机-20220923-32613506 (26).jpg 坪山回收运放IC,电源IC,

按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡
按品牌分
矽统(SIS)、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士
Sandisk【NAND型闪存】内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512字节)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分,实际上还要加上16字节的校验信息,我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量,2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。
NAND型闪存以块(sector)为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页(page),容量16KB;而大容量闪存采用2KB页时,则每个块包含64个页,容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条,每条数据线每次传输(512+16)bit信息,8条就是(512+16)×8bit,也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计,如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存,容量1Gb,基本数据单位是(256+8)×16bit,还是512字节。
寻址时,NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包,每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大,一组8位地址只够寻址256个页,显然是不够的,通常一次地址传送需要分若干组,占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址,传送时分别分组,至少需要三次,占用三个周期。随着容量的增大,地址信息会更多,需要占用更多的时钟周期传输,NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大,寻址时间越长。由于传送地址周期比其他存储介质长,NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
[1]  而比我们平常用的U盘存储量更大,速度更快的闪存产品要属PCIe闪存卡了,它采用低功耗,高性能的闪存存储芯片,以提高应用程序性能。由于它们直接插到服务器中,数据位置接近服务器的处理器,相比其它通过基于磁盘的存储网络路径来获取信息大大节省了时间。企业正在转向这种技术以解决存储密集型工作负载,比如事务处理应用。在PCIe闪存卡方面,LSI公司新的Nytro产品,扩大其基于闪存的应用加速技术到各种规模的企业。LSI推出了三款产品,到一个正变得越来越拥挤的PCIe闪存适配器卡市场。LSI Nytro产品战略中的一部分,LSI公司的WarpDrive卡上,采用闪存存储、LSI的SAS集成控制器和来自公司收购的闪存控制器制造商SandForce的技术。其第二代基于PCIe的应用加速卡容量从200GB到3.2TB不等。Nytro XD应用加速存储解决方案的软件和硬件的组合。它集成了WarpDrive卡与Nytro XD智能高速缓存软件,以提高在存储区域网络(SAN)和直接附加存储(DAS)实现中的I/O速度。还有Nytro MegaRAID应用加速卡,它结合了MegaRAID控制器与板载闪存和缓存软件,LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端,针对串行连接SCSI(SAS)DAS环境的性能增强解决方案。
微软的SQL Server产品管理主管Claude Lorenson,看好LSI的闪存产品在微软服务器环境中的未来。因为 LSI的闪存产品Nytro MegaRAID可以帮助微软SQL实现了每秒交易的10倍增长,
[1]  “闪存存储技术,如LSI的Nytro应用加速产品组合,可以用来加速关键业务应用,如SQL Server 2012”,Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在Windows Server 8中提供的增强,这些技术的重要性将继续增长。”
存储原理编辑 播报
要讲解闪存的存储原理,还是要从EPROM和EEPROM说起。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,重新写入。其基本单元电路(存储细胞),常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为FAMOS。它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中,与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(譬如负电荷),就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使MOS管导通,即表示存入0。若浮空栅极不带电,则不形成导电沟道,MOS管不导通,即存入1。

在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0,无电子为1。
闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做。写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅。
读取数据时,向栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于大量电子的移动,就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟道产生影响。 


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成立日期2021年03月30日
法定代表人李婷
注册资本10
主营产品回收电子,回收芯片,回收ic,回收电子配件,电子元器件,光耦ic,电源ic,二三极管,电容,开关等产品
经营范围一般经营项目是:电子产品、电子元器件、通讯产品的技术开发与销售;国内贸易(不含专营、专控、专卖商品);货物及技术进出口业务(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营),许可经营项目是:无
公司简介深圳市邵昕电子有限公司是一家主要回收电子元器件的回收公司,经过10多年的,回收经验丰富,回收IC,回收电子,回收电子元器件,内存回收,钽电容回收,二三极管等库存产品,可快速提供报价。广东地区提供快捷便利的上门回收服务,针对电子厂,办公室,呆滞料,库存产品收购业务,深圳回收IC、字库、二三极管、内存IC、钽电容、贴片电容、晶振、LED发光管、单片机、模块、显卡、网卡、芯片、ATMEL/PIC系列单片 ...
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