传统的LED芯片采用正装结构,上面通常涂敷一层树脂,下面以蓝宝石作为衬底。一方面,由于蓝宝石的导热性较差,有源层产生的热量不能及时地释放,蓝宝石衬底会吸收有源区的光线,增加金属反射层也无法完全解决吸收的问题;另一方面,由于树脂的导热能力很差,热量只能靠芯片下面的引脚散出。前后两方面都造成散热的难题,影响了器件的性能和可靠性。鉴于此,LED的倒装焊接技术应运而生。[2]
2001年,LumiLeds研制出了AIGalnN功率型倒装芯片结构,LED芯片通过凸点倒装连接到硅基上。这样大功率LED产生的热量不必经由芯片的蓝宝石衬底,而是直接传到热导率更高的硅或陶瓷衬底,再传到金属底座,由于其有源发热区更接近于散热体,可降低内部热沉热阻。这种结构的热阻理论计算可达到1.34K/W,实际做到6-8K/W,出光率也提高了60%左右。热阻是与热沉的厚度成正比的,由于受硅片机械强度与导热性能所限,很难通过减薄硅片来降低内部热沉的热阻,这就制约了其传热性能的提高。
伺服电机控制器的电路组成电机整流电路：整流单元主要的拓扑电路是三相全桥不控整流电路，实质是一组共阴极与一组共阳极的三相半波可控整流电路的串联，习惯将其中阴极连接在一起的三个晶间管称为共阴极组；阳极连接在一起的三个晶闸管称为共阳极组。功率驱动电路：功率驱动单元一般采用智能功率模块，通过三相全桥整流电路对输入的三相电或者市电进行整流，得到相应的直流。功率单元是使用功率电力电子器件进行整流、滤波、逆变的高压变频器部件，主要由整流桥、可控硅、电解电容、IG等器件组成。