回收IG模块、从结构上讲,IG主要有三个发展方向:1、IG纵向结构:非集电区NPT型、带缓冲层的PT型、集电区NPT型和FS电场截止型;2、IG栅极结构:面栅机构、Trench沟槽型结构;3、硅片加工工艺:外延生长、?。
在IG使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IG导通/关断/阻断状态的控制:1、当IG栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IG呈关断状态;2、当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处。
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回收IG模块、IG模块造工艺流程:1、IG模块封装是将多个IG集成封装在一起,以IG模块的使用寿命和可靠性,而IG模块的市场需求趋势则是体积更小、效率更高、可靠性更高,实现这些就有待于IG模块封装的研发。
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