一 光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 MaskAlignmentSystem。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography（光刻）意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
二 紫外线研究器激光测验报告FDA认证组织认证过程：
1、咨询请求人供给产品材料图片或经过描绘阐明所需求请求FDA的产品及材料.
2、报价依据请求人供给的材料，技能工程师将作出评价，断定须测验的项目，并向请求方报价
3、请求方承认报价后填写测验请求表和测验样品
4、样品测验--测验将按照所适用的FDA规范进行
5、测验完成后供给FDA认证报告
三 对光源系统的要求：
a．有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；［波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高。］
b．有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；
c．曝光能量必须均匀地分布在曝光区。［一般采用光的均匀度或者叫不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布］
常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g线（436 nm）或i线（365nm）。对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF准分子激光（248 nm）、ArF准分子激光（193nm）和F2准分子激光（157nm）等。曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
分辨率是对光刻工艺加工可以达到的细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。
曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
