半导体检测实际可以分为哪四个层面
半导体检测主要是针对工艺流程中半导体材料身体内、表面额外其里的介质膜、陶瓷膜、光伏电池等部件的特点开展物理学、化工和热学等属性的测量。根据所测量的特点，这一类检验可分为四个层面。
（1）结构尺寸与表面形貌的检测：如芯片、外延层、介质膜、陶瓷膜及其光伏电池膜等厚度,杂质扩散层及干法刻蚀层及其浸蚀管沟等深度，晶体三极管的基区总宽，芯片的直径、平面度、光滑度、表面污染、伤疤等，离子注入图型线条长、宽、孔径间隔、套刻精密度、屏幕分辨率及其陡直、光滑等。
（2）半导体检测有关成份结构特征：如基板、外延层、扩散层和干法刻蚀层掺杂浓度以及竖向和平面遍布、初始芯片中偏差的形状、密度和遍布，光伏电池里的氧、碳及各种重金属超标含量，在通过各种各样加工工艺流程前后左右半导体材料里的缺陷和杂质遍布演化，介质膜的基本特征、含杂量与遍布、致密性、针眼密度和遍布、陶瓷膜成分，各步加工工艺前后表面吸附和脏污等。
（3）电力学特点：如基板原材料的导电性种类、电阻、少数载流子使用寿命、蔓延或干法刻蚀层导电性种类与层析电阻器、物质层击穿场强、氧化层里的正电荷和页面态、陶瓷膜的层析电阻器、根据氧化层阶梯的金属框电阻器、金属材料—金属氧化物—半导体材料晶体三极管特点等。
（4）半导体检测有关安装和封装形式工艺检验：如引线键合强度密封性能以及失效率等。
