电磁兼容测试：有关低频磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法—亥姆霍兹线圈法

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低频磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法—亥姆霍兹线圈法

摘要：介绍了低频磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法—亥姆霍兹线圈法。。

通常而言，低频磁场干扰是一种*难对付的干扰。为了减少低频磁场辐射，除在结构上合理布线、合理布置元器件外，采用磁屏蔽材料进行磁屏蔽是一种减小低频磁场干扰的十分有效措施。对这种低频磁场，要通过使用高磁导率材料提供磁旁路来实现屏蔽，如下图所示。由于屏蔽材料的磁导率很高，为磁场提供了一条磁阻很低的通路，空间的磁场会集中在屏蔽材料中，从而使敏感电路免受磁场干扰。

从上面的介绍可知，低频磁屏蔽材料屏蔽效能测量难以采用法兰同轴装置法和屏蔽室法，主要是平面型的样品难以形成磁旁路的空间整体保护效果，频段也难以覆盖低频。低频磁屏蔽材料屏蔽效能测量，采用亥姆霍兹线圈法，即圆筒状样品放置在亥姆霍兹线圈中，测量无样品时和有样品时的磁感应强度大小得到样品的低频磁屏蔽效能。

一个同轴放置的平行线圈，当线圈间距等于一定值（方形线圈为边长之半，圆形线圈为半径）时，即构成了亥姆霍兹线圈。在这对线圈中通以电流，就可在线圈对之间一定区域内建立起相当均匀的磁场。通过亥姆霍兹线圈形成了磁场的发射源，如下图所示。

磁场线圈系统装置结构如下图所示。亥姆霍兹线圈骨架、探测线圈骨架、旋转台和支架台应采用绝缘无磁材料。亥姆霍兹线圈的直径应满足至少为试样圆筒长度的三倍或者直径的四倍。探测线圈应固定在亥姆霍兹线圈中心，相对两个线圈等间距并和亥姆霍兹线圈同轴，直径和高度应等于或小于试样直径的一半，且不超过亥姆霍兹线圈直径的十分之一。试样轴线和磁场方向成90度垂直方向。

说明:

1—亥姆霍兹线圈；

2—被测试样；

3—探测线圈；

4—探测线圈支架；

5—旋转台；

6—试祥底座。

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