IGBT参数测试仪
更新:2023-07-12 17:48 编号:19451583 发布IP:113.87.155.114 浏览:20次- 发布企业
- 深圳市华科智源科技有限公司商铺
- 认证
- 资质核验:已通过营业执照认证入驻顺企:第19年主体名称:深圳市华科智源科技有限公司组织机构代码:91440300MA5ED2TF21
- 报价
- 人民币¥188.00元每台
- 关键词
- IGBT器件测试
- 所在地
- 深圳市宝安区航城鹤洲洲石路739号恒丰工业城C4栋816
- 联系电话
- 13008867918
- 手机
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- 联系人
- 陈少龙 请说明来自顺企网,优惠更多
详细介绍
华科智源功率器件测试仪,测试二极管、IGBT,MOS管,SIC器件静态参数,并生产器件传输曲线和转移曲线,测试1600A,5000V以下的各种功率器件,广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车,风力发电,变频器,焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
品牌: 华科智源
名称: IGBT测试仪
型号: HUSTEC-1600A-MT
用途: 广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机等行
华科智源HUSTEC-1600A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成IGBT 的静态参数测试;
测试参数:
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用
1) 物理规格
设备尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)mm;
质量:30kg
2) 环境要求
海拔高度:海拔不超过 1000m;
储存环境:-20℃~50℃;
工作环境:15℃~40℃。
相对湿度:20%RH ~ 85%RH ;
大气压力:86Kpa~ 106Kpa。
防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;
3) 水电气 用电要求:AC220V,±10%;
电网频率:50Hz±1Hz
成立日期 | 2017年03月01日 | ||
法定代表人 | 陈少龙 | ||
注册资本 | 100万元 | ||
主营产品 | IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪 | ||
经营范围 | 半导体及芯片测试设备、功率器件及模块测试设备、分析仪器的研发、设计与销售 仪器仪表、测试测量设备、自动化生产设备及夹具治具的研发、销售、租赁及技术咨询与上门维修 光电、机电、电子产品的技术开发、销售及售后服务 软件开发及信息系统集成服务 电子、化工材料(以上均不含危险化学品、易制毒化学品、成品油)的销售 经营电子商务 国内外贸易,货物及技术进出口(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营) | ||
公司简介 | 深圳市华科智源科技有限公司,是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业,坐落于改革开放之都-中国深圳,核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产,公司产品主要涉及MOS管直流参数测试仪,MOS管动态参数测试仪,IGBT测试仪,IGBT动态参数测试系统,IGBT静态参数测试仪,功率循环,雪崩及浪涌测试设备,产品以高度集成化、智能化、高速、超宽测试范围等竞争优势,将 ... |
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