半导体的检测与分析是一个介于基础研究与应用研究之间的设计内容很广而又不断蓬勃发展的领域，电子材料是指在电子技术和微电子技术中使用的材料，电子材料是现代电子工业和科学技术发展的物质基础，同时又是科技领域中技术密集型学科。在半导体材料的研究中，电阻率，载流子密度和迁移率是测试的关键参数。目前对半导体材料进行物理和化学研究的方法有很多，如透射电镜、拉曼光谱、电化学C-V、X射线双晶衍射等。康派斯集团在半导体测试领域拥有广泛的能力和资质，基于康派斯现有的实验设备资源进行配置和集成，可覆盖量子材料、超导材料、半金属材料、纳米材料、薄膜材料、绝缘材料等大部分的半导体测试方法和应用。
半导体材料检测范围
元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体等。
半导体材料检测项目
杂质检测、品质因子检测、性能检测、灵敏度检测、外观检测、纯度检测、光学检测、禁带宽度检测、电阻率检测、载流子迁移率检测、非平衡载流子寿命测试、位错密度检测等。
半导体材料检测方法及标准
DIN 50431-1988无机半导体材料的检验; 用直线配置的四探针直流法测定硅和锗单晶体的比电阻
DIN 50433-1-1976无机半导体材料的检验; 用X 射线测向仪测定单晶体取向
DIN 50433-2-1976无机半导体材料的检验; 用反射光影法测定单晶体取向
DIN 50433-3-1982半导体材料的检验; 用劳埃反射法测定单晶体取向
DIN 50434-1986半导体材料的检验; 单晶硅试样的(111) 和(100) 蚀面上晶体结构缺陷的测定
DIN 50435-1988无机半导体材料的检验; 四探针直流法测定硅或锗片的比电阻径向变化
DIN 50437-1979无机半导体材料的检验; 用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度
DIN 50438-1-1995无机半导体材料的检验;用红外吸收法测定硅中杂质含量:第1部分:氧
DIN 50439-1982半导体工艺材料的检验; 用电容--电压法和水银接点确定晶朊半导体材料中掺杂物的断面
DIN 50440-1998半导体材料检验.用光导衰减法测定硅单晶复合载流子寿命;在杆上试件上测量
DIN 50441-1-1996无机半导体材料的检验;半导体片几何尺寸的测量;第1部分:厚度和厚度变化
DIN 50441-2-1998半导体材料的检验;半导体片几何尺寸的测量.第2部分:倒棱的检验
DIN 50445-1992半导体材料检验.电阻测量
DIN 50446-1995半导体材料的检验.硅外延层的缺陷类型和缺陷密度的测定
DIN 50452-1-1995半导体材料的检验.液体中粒子的分析方法.第1部分:显微镜测定粒子
GB/T 1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 6663.1-2007直热式负温度系数热敏电阻器 第1部分:总规范
GB/T 7153-2002直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 第1部分：总规范
GB/T 14264-2009半导体材料术语
CECC 50 002- 101ISSUE 3-1985半导体材料 硅制2N2221型;极性:负极-正极-负极2N2221A型,封装材料:2N2222金属型,接头包装:2N2222A集流器
CECC 50 002- 103ISSUE 3-1985半导体材料 硅制2N2906型;极性:负极-正极-负极2N2906A型,封装材料:2N2907金属型,接头包装:2N2907A集流器
