品牌
JJM/捷捷微
漏源电压(Vdss)
-30
产品特性
沟槽
封装
SOP-8
批号
2022
FET类型
P
漏极电流(Id)
-12
漏源导通电阻(RDSOn)
14 mΩ
栅源电压(Vgs)
20
栅极电荷(Qg)
30 nC
配置类型
14
工作温度范围
-55to+150
安装类型
贴片
数量
30000
可售卖地
北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏;新疆
型号
JMTP4407A
产品参数
品类：MOS管型号：JMTP4407AFTE型：P 管电压：-30 V电流：-12A内阻：32 mΩ封装 ：SOP-8
现货型号
JMTC035N06DJMTC060N06AJMTG100N06DJMTJ210P02AJMTK060P03AJMTK3003AJMTK3005a
JMTQ050N02AJMTQ55P02A
捷捷微汽车等级 SGT MOSFETs，芯片的设计制造及成品的封装测试，皆在符合IATF16949 品质管理的工厂完成。每个器件也通过三批次、符合 AEC-O101 标准的长期可靠性验证。优异的关键电气参数如导通电阻(1.3~29.0mΩ)、栅极电荷(6.8~88.0nC)、FOM(55~354)等，性能不输欧美大厂，已广泛被汽车前装及后装市场接受並大规模出货。
Features VDS= -30V, ID= -12A RDS(ON) <14mΩ @ VGS = -10VRDS(ON) <20mΩ @ VGS = -4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product isacquired
