上升时间
5 µs
隔离电压
3750 Vrms
正向电流
50 mA
输出电压(Max)
80 V
正向电压(Max)
1.4 V
正向电流(Max)
50 mA
下降时间
3 µs
下降时间(Max)
18 µs
上升时间(Max)
18 µs
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW
封装参数
安装方式
Surface Mount
引脚数
4
封装
SOIC-4
外形尺寸
封装
SOIC-4
物理参数
工作温度
-55℃ ~ 110℃