二次离子质谱（SIMS）可检测极低浓度的掺杂剂和杂质。该技术提供了从几埃 (Å) 到几十微米 (µm)的广泛深度范围内的元素深度剖面。 样品表面用一束初级离子（通常是 O2+ 或者Cs+)而在溅射过程中形成的二次离子使用质谱仪（四极杆、扇形磁场或飞行时间）进行提取和分析。 次级离子的浓度范围可以从基质水平到亚 ppm痕量水平。
掺杂和杂质深度剖析
薄膜（金属，电介质，SiGe，III-V和II-VI材料）的成分和杂质测量
浅层植入物和超薄薄膜的超高深度分辨率分析
批量分析，包括 Si 中的 B、C、O 和 N
高精度匹配工艺工具，例如离子注入机或外延反应器
检测范围
检测项目
检测标准
掺杂剂
薄膜（金属，电介质，SiGe，III-V和II-VI材料）的成分和杂质测量
GB/T 9468
GB/T 22907
GB/T 24824