全自动硅片混酸择优腐蚀设备应用于6、8寸半导体硅片的腐蚀加工设备。该设备完成硅片上料、定心寻参、腐蚀、清洗、下料等加工过程，采用干入湿出的硅片流转方式。实现药液的自动补充。
全自动硅片混酸择优腐蚀设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;进口透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;机械臂定位精度高;整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作。
全自动硅片混酸择优腐蚀设备特点：
适用于6-8”硅片的去边处理
具有两套硅片上料线，由机器人把硅片从上料端搬运到寻参定位中心位置
用真空吸盘吸附的方式进行硅片的搬运
全自动硅片混酸择优腐蚀设备在下料位由独立的下料槽，片篮可上下移动，人工手提片篮下料。
由PLC控制，各部分均可以独立操作
采用国际 的电气元件
外框采用优质聚丙烯磁白PP板经雕刻后热弯/焊接组合加工而成，控制模式:手动/自动控制模式;
全自动硅片混酸择优腐蚀设备被清洗硅芯尺寸:硅芯: 2600—2800 mm x∮10 mm圆形硅芯；2600 –2800mm x∮150 mm圆形硅棒,硅芯每次多可清洗硅芯24根/批；
腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置，抽风系统,电控及操作台等部分组成;提篮设计精巧，槽体间转移时将残留液体降到；机械臂的横向移动和纵向提升均采用进口伺服马达，闭环控制，定位精度高，可靠性高；
全自动硅片混酸择优腐蚀设备外形尺寸、生产能力等根据客户具体要求确定。
是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。简单来说，江硅片，就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。由于所有的半导体湿法刻蚀都具有各向同性，所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀，横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度。这样一来，上层光刻胶的图案与下层全自动硅片混酸择优腐蚀设备材料上被刻蚀出的图案就会存在一定的偏差，也就无法高质量地完成图形转移的工作，因此随着特征尺寸的减小，在图形转移过程中基本不再使用。目前，湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节，而在图形转移中干法刻蚀已占据主导地位。