产品描述:
SA2601是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达600V电压下工作。
SA2601内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。
SA2601输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑,上下管延时匹配Zui大为50ns,驱动能力为+0.3A/-0.6A。
SA2601采用SOP8封装。