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　　点领域节能，数据中心、新型通信等信息化基础设施能效水平数据中心转型升级的在不断存储界门槛，只有不断创新，才能引领行业发展，成为“头雁”事实上，技术创新已深深印入浪潮基因，厚积薄发，不断刷新业界记录浪潮存储坚持全栈自研，从部件及器件、存储整机、存储底层、集中式及分布式存储、存储各个层面积累了深厚的技术能力据悉，在机构SPC（存储性能会）的SPC-1性能基准中，连续6次打破性能纪录，目前浪潮存储保持从集中式全闪、分布式全闪细分市场。

 

 

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　　断时产生的尖峰电压D为超快恢复二极管，其作用是在IG-BT关断时，给电机电流提供续流通道设计中采用IR公司生产的GA200LD120U型IGBT（额定电流200A、电压1200V），其自带一个超快恢复二极管，可用此IGBT模块内部的二极管代替电机的续流二极管，S为电流传感器，将电流反馈给PWM电路由于导线的杂散电感很难计算，只能根据估计一般情况下，S应选择低串联电阻的无感圈绕聚丙烯、聚电容或高频无感陶瓷电容，其高频特性，耐尖峰电压能力强，对尖峰电压有很好的。作用如果缓冲二极管逆向恢复时间变长，在高频开关工作时，使缓冲二极管产生的损耗变大应选择过渡正向电压低、逆向恢复时间短、逆向恢复特性软的快速恢复二极管。

 

 

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10M16DAF256I7G

AS4C64M4SA-6TIN

88SE9170A2-NNX2C000

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STTH4R02UY

ADM3485EARZ-REEL

LMF20D103W2851

S9S08LG32J0VLF

STM32F101CBU6

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S29GL064S70TFA030

CY7C2663KV18-450BZI

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DP-102ZL3-M-P

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APDS-9306-065

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PI5C16861A

RE38L3D752

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B39162B8878P810

SP1-12

ML5235-002MBZ07CL

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SK7905AU 7905AU

GT21-C200R4-25P5

MAX3077EASA+T

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7130LA20TFG

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