电子元件变形失效分析，ic失效分析公司
1、收集现场数据:
应力类型
试验方法
可能出现的主要失效模式
电应力
静电、过电、噪声
MOS器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、功率晶体管的二次击穿、CMOS电路的门锁效应
热应力
高温储存
金居 - 半导体接触的Al - Si互溶，欧姆接触退化，pn结漏电、Au-Al键合失效
低温应力
低温储存
芯片断裂
低温电应力
低工作
热载流子注入
高低湿应力
高低温循环
芯片断裂、芯片粘接失效
热电应力
高温工作
金属电迁移、欧姆接触退化
机械应力
振动、冲击、加速度
芯片断裂、引线断裂
辐射应力
X射线辐射、中子辐射
电参数变化、软错误、CMOS电路的门领效应
气候应力
高湿、盐卖
外引线腐蚀、金居化扇蚀、电参数漂移
2、电测并确定失效模式
电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定确认功能失效，需对元器件输入一个已知的激励信号，测量输出结果，如汉得输出状态与预计状态相同，则元器件功能正常，否则为失效功能测试主要用于集成电路=种生效有-定程关件 肌一种生效可起其之种然的失效、联失效和电参数失效时常造失效，在都多复杂0减没备和程室的查况下，有可用简单的车接性现和数测试方法进行电测，结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果.
