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　　度大，上下游协同门槛高、成本高，产业发展尚未形成合，特殊半导体涉及的技术领域众多、工序复杂特殊半导体对于光刻线宽的要求相对较低，对于工艺、材料的更加复杂，被称为“工业品”例如MEMS传感器，学科涉及电子、机械、材料、制造、物理、化学和生物等多种学科，并集约了当今科学技术发展的许多成果;设计与IC行业注重二维静止的电路设计不同，以理论力学为基础，结合电路知识设计三维动态产品;工艺包含更多非的定向工艺步骤，如体硅工艺、背面工艺、高温工艺、高深宽比蚀刻。

 

 

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　　别为：级时限t跳主变高压侧开关，第二级时限t跳主变三侧开关第Ⅱ段不带方向，既作主变也作本侧出线后备，时限设置一级t跳主变三侧开关侧无零序电源时自耦变压器零序过电流保护的整定计算2.1.1中压侧2.段电流整定（1）按与本侧出线的零序方向过电流保护的第Ⅰ（Ⅱ）段或快速主保护配合整定（2）按本侧母线接地故障灵敏度不小于1.5整定取上述2个条件的值为整定值当以上两个条件不能时应按条件（2）进行整定因灵敏度若不要求，保护范围也就不够，设置本段保护就失去意义2。

 

 

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