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应用材料公司宣布推出Applied Centura? Silvia?Etch刻蚀，该专为、低成本的TSV(through-siliconvia穿透硅互连)应用而设计。相对于竞争产品，Silvia能够提供更高的硅刻蚀率，并大幅度成本。Silvia的轮廓能够提供垂直的通孔侧壁，这对于高连线和填充薄膜的后续沉积具有至关重要的作用。高度灵活的Silvia可以在同一个反应刻蚀硅和其氧化物，是已有的或正在计划中的TSV整合方案的选择。应用材料公司副总裁、刻蚀和清洁事业部总表示：“TSV构造中多次的刻蚀步骤占据了总体成本的很大部分，通孔刻蚀是其中的关键。我们一直致力于提供一套可以克服在刻蚀速率和轮廓之间的一贯妥协，大幅拥有成本。Silvia延续了我们在深槽硅刻蚀方面长期的地位，在该领域我们的装机量已经超过了200个反应腔。通过提供高生产力、成本经济的TSV刻蚀，Silvia能够帮助芯片代工厂和封装厂实现高低成本的大规模制造。”Silvia毫不妥协的性能得益于应用材料公司产权所有的TMGM（time-multiplexed gasmodulation时间多元气体调制）工艺。TMGM工艺刻蚀的通孔侧壁具有严重的圆齿状凹凸，难以进行填充；Silvia能够提供的垂直轮廓，并高产能制造对于快速刻蚀速率的要求。Silvia出众的轮廓可以应对广泛的TSV方案的不同挑战。在先做通孔的方案中，Silvia提供所需要的轮廓和对光刻胶的高选择性，从而刻蚀出非常小、非常深、侧壁的通孔。Silvia也能够很好做通孔的方案，这些方案通常被封装和半导体客户所采用，对于他们而言拥有成本是非常关键的。低成本耗材和高度可靠的平台设计在过去十多年的大规模制造中已经被验证，而Silvia正是凭借这些特点为客户提的拥有成本。欢迎转载，信息来自ic37网（www.ic37.com）

 

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