发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成,半导体发光器件包括半导体发光二极管、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等,事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
发光二极管原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用普遍。发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成,半导体发光器件包括半导体发光二极管、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等,事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
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今台发光二极管系列型号
KP-2012P01-SZ
KP-2012P04-SZ
KP-2012LCGCK
KP-2012FGCK
KP-2012P08-SZ
KP-2012P09-SZ
KP-2012P03-SZ
KPTD-1608ZGCK
KPTD-1608SURCK
KPTD-1608ZGC
KPTD-1608SYCK
KPTD-1608CGCK
KPTD-1608D07-SZ
KPTD-1608QWF-D
KPTD-1608D03-SZ
KPTD-1608SURCK-SZ
KPTD-1608PBC
KPTD-1608SYCK
KPTD-1608SURCK
KPTD-1608QBC-D
KPTD-1608CGCK-SZ
KPTD-1608SYC
KPTD-1608SYCK-SZ
KPTD-1608CGCK
KPTD-1608SURC
KPTD-1608PBC-A
KPTD-1608MGC
KPT-1608SEC
KPT-1608MGC
KPT-1608CGCK
KPT-1608LSECK-J3-PRV
KPT-1608SURC
KPT-1608QBC-D
KPT-1608ZGCK
KPT-1608LVBC-D
KPT-1608ZGC
KPT-1608SRC-PRV
KPT-1608PBC-A
KPT-1608SECK
KPT-1608SYC
KPT-1608SYCK
KPT-1608SURCK
KPT-1608VGC
KPT-1608ZGCK-5MAV
KPT-1608SURCK-5MAV
KPT-1608ZGCK
KPT-1608SURC
KPT-3216SRC-PRV
KPT-3216CGCK
KPT-3216QBC-D
KPT-3216QWF-D
KPT-3216SYCK
KPT-3216PBC-A
KPT-3216SURCK
KPT-3216QBC-D-SZ
KPT-3216SURCK
KPT-3216T11-SZ
KPT-3216T12-SZ
KPT-3216FGCK
KPT-3216SEC
KPT-3216SURC
KPT-3216SRC-PRV
KPT-3216SECK
KPT-3216PBC
KPT-3216PBC-A
KPT-3216QBC-D
KPT-3216MGC
KP-3216YC