1962年，英国科学家使用砷化镓造出了第一个“现代”的发光二极管，它只能发出不可见的红外线。Zui早的发光二极管是从红外线光开始的，直到现在红外发光二极管制成的红外灯，仍然是夜视摄像机补光的重要光源[1]。因为其长寿命、抗电击、抗震等特点而作为指示灯，1968年实现了商业化。
LED颜色的演化过程
20世纪70年代，随着材料生长和器件制备技术的改进，科学家们使用磷化镓发出了很淡的绿光，使用双磷化镓芯片发出黄色光。LED的颜色从红光扩展到黄绿光。
20世纪80年代，借助AlGaAs新材料的生长技术的发展，高质量AlGaAs/GaAs量子阱得以应用于LED结构中，载流子在量子阱中的限制效应大大地提高了LED的发光效率。
20世纪90年代，四元系AlGaInP/GaAs晶格匹配材料的使用，使得LED的发光效率提高到几十lm/W(lm:流明，表征光通量的单位)。美国惠普公司利用截角倒金字塔(TIP)管芯结构得到的桔红光的LED，其效率达到100lm/W。
蓝光LED技术被攻克
1989年，日本的赤崎勇和天野浩的研究小组认为低能电子束辐照的作用实现了GaN:Mg薄膜的p型导电，成为发明蓝光LED另一项重大突破。在全球首次研制出了p-n结蓝色LED。
1992年，中村修二第一次利用了InGaN/GaN周期量子阱结构，取代了传统的p-i-n结构，大幅度提高了蓝光LED的发光效率。他还发展了外延技术，用低温生长的薄层GaN替换AlN作为缓冲层。中村等人为了解开p型GaN的谜团做了一系列的实验，发现电子束对于p型激活的作用只可能来自于热激活和高能电子的轰击两种因素。他们将GaN:Mg样品放入700℃以上的N2和NH3气氛下退火，实验发现都成功实现稳定的p型GaN，p型GaN的难题得以突破。
白光LED被创造
1993年，蓝光LED实现了量产。1997年，Schlotter等人和中村等人先后发明了用蓝光LED管芯加黄光YAG荧光粉实现白光LED。2001年Kafmann等人用UVLED激发三基色荧光粉得到白光LED，国际上迅即出现高效白光LED的研究和产业化的竞争，并持续至今，发光效率不断被提高，目前已经超过300lm/W（lm:流明，表征光通量的单位），电光转换率达50%以上。
深圳宏芯光电子（台湾光宝liteon旗舰店）
今台发光二极管系列型号
APT3216ZGC/E
APT3216LSECK/J3-PRV
APT3216SURCK
APT3216PBC/A
APT3216MGC
APT3216QWF/F
APT3216SEC
AP3216ZGC
AP3216ZGCK
AP3216SRCPRV
AP3216SURCK
AP3216YC
AP3216SURC
AP3216ZGC
AP3216SF4C
AP3216ZGC
AP3216ZGCK
AP3216EC
AP3216VGC
AP2012CGCK
KA-3528SURCKT
APA2106QBC/D
APT2012SGC
APTD1608SYCK
APTR3216PBC/A
APT2012SURCK
KPTR-3216CGCK
APHCM2012CGCK-F01
KPA-1606CGCK
APT3216QWF/D
KPT-3216CGCK
APTD3216QBC/D
APTD3216ZGC
KPA-3010SRC-PRV
APG1608QBC/D
KP-2012MGC
APG1608SYKC/T
APD3224ZGCK-F01
APT2012YC
KPT-2012QWF-D
KPT-2012SGC
KPT-2012QBC-D
KPT-2012SURCK
KPT-2012ZGC
KPT-2012SYCK
KPT-2012YC
KPT-2012SECK
KPT-2012T17-SZ
KPT-2012SYCK
KPT-2012SEC
KPT-2012QWF-D
KPT-2012SECK-SZ
KPT-2012SRC-PRV-SZ
KPT-2012ZGCK
KPT-2012T08-SZ
KPT-2012SYCK-SZ
KPT-2012T09-SZ
KPT-2012ZGC
KPT-2012SYC
KP-2012LCGCK
KP-2012SECK
KP-2012MGC
KP-2012CGCK
KP-2012QBC-D
KP-2012SURCK
KP-2012SYCK
KP-2012CGCK
KP-2012SRC-PRV
KP-2012SURC
KP-2012P06-SZ
KP-2012F3C
KP-2012QBC-D
KP-2012P01-SZ
KP-2012P04-SZ
KP-2012LCGCK
KP-2012FGCK
KP-2012P08-SZ
KP-2012P09-SZ
KP-2012P03-SZ
KPTD-1608ZGCK
KPTD-1608SURCK
KPTD-1608ZGC