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据IHSiSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年季度该产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推动DRAM技术迁移的力度增大。在此期间，成本降幅从7.8%增大至14.2%，晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。IHSiSuppli公司的研究显示，但从第二季度开始，预计DRAM产业对于光刻工艺迁移的态度将不再那么积极，成本下降速度也将变慢。第二季度lithographyreductiON将下降到5.2%，第三季度下降到4.8%，第四季度降到3.7%。相应地，成本削减幅度也将在第二季度下降到12%，第三和第四季度分别降至9和4%。确实，DRAM产业正在经历几种转变，例如许多供应商进行战略性，商品类DRAM；建立新的制造与代工联盟；继续向40纳米及更先进的工艺迁移。IHS公司认为，所有这些因素都将对供需关系产生影响，进而影响利润率和供应商的利润。令人意外的是，由于上一个繁荣周期利润率大幅上升，季度DRAM产业保持盈利状态。上一个繁荣周期始于2009年第二季度，到一年以后结束。DRAM平均销售价格下降，但目前的周期符合历史形态，随着需求的起伏变化，芯片价格与DRAM厂商的利润也随之波动。尤其是，预期中的成本下降将来自技术变化，DRAM芯片将越来越多地采用新型光刻设备和技术制造。从2010年第四季度到今年季度，推动光刻工艺变化的主要厂商是Inotera和Rexchip，前者的平均光刻节点横跨至50纳米，而后者则前进到了40纳米。IHSiSuppli公司的研究显示，DRAM成本下降可以来自光刻技术变化以外的其它因素，但那些额外考虑现在完全可以排除。其中一个因素是以扩大规模效益为目的的产能增长，该因素将受到，因为厂商将继续对专门用于产能扩张的资本支出保持谨慎。另一个因素是效率，由于以前及目前的局面厂商的保持相对紧缩，该因素预计不会对未来的成本节省有太大影响。IHS的估计显示，随着向4x纳米的过渡明年彻底完成，成本下降势头将更加变弱。在2011年剩余时间内，每季度相对于光刻迁移的成本下降将达到6.5%，2012年缩窄到3.3%。随着光刻迁移势头在未来几个季度减弱，成本下降趋势将反映这种变化——现在强劲，2012年减弱。

 

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