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据Tech Review报导，IBM超高密度 Racetrack存储器又有新的进展，据称这一新型存储器具有硬盘超高容量与闪存微型、高速、耐用的特性。按照目前的，原型产品预估可望于2年内问世。据报导，Racetrack 存储技术首见于2004年，当时由IBM旗下的Almaden ResearchCenter研究人员StuartParkin所提出。目前Parkin所的团队，已确定在电流影响下，当存储位时，不会覆写先前存储的信息。 Racetrack存储中信息位用域畴(DomainWalls)来代表，域畴是沿着纳米线分布的微小磁化区域（磁畴），在电流作用下，磁畴的极性会翻转，代表0与1的变化。与当前存储技术不同的是，纳米线若垂直嵌入芯片中，Racetrack存储器便可以3维存储信息。

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