半导体集成电路可靠性测试

2024-12-03 08:30 113.81.196.65 1次
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产品详细介绍

JESD22-A106B.01-2016温度冲击

进行此温度冲击测试,是为了确定半导体元器件,对于突然暴露在极端高低温条件下的抵抗力及影响,此试验其温变率过快并非模拟真正实际使用情况,其目的是施加较严苛的应力于半导体元器件上,加速其脆弱点的破坏,找出可能的潜在性损害。
推荐设备:冷热冲击试验箱

JESD22-A110E-2015有偏压的HAST高度加速寿命试验

依据JESD22-A110规范,THB和BHAST都是进行元器件高温高湿的试验,试验过程需要施加偏压,目的是加速元器件腐蚀,而BHAST与THB的差别在于可以有效的缩短原本进行THB试验所需的试验时间
推荐设备:高度加速寿命试验箱

JESD22A113I塑料表面贴装器件的可靠性测试之前的预处理

针对非密闭SMD零件,在电路板组装过程,因为本身会因为封装水气导致SMD出现损坏,预处理可以模拟在组装过程可能出现的可靠度问题,透过此规范的测试条件找出SMD与PCB在回流銲组装的潜在瑕疵。
推荐设备:高低温试验箱、冷热冲击试验箱

JESD22-A118B-2015无偏压高速加速寿命试验

评估非气密性封装元件在无偏压条件下抗潮湿能力,确认其耐湿性、坚固性与加速腐蚀及加老化,可以做为类似JESD22-A101测试测试温度更高,此试验为采用非结露温度与湿度条件,进行高度加速寿命试验,本试验须能控制压力锅体内的升降温速度与降温时的湿度
推荐设备:高度加速寿命试验箱

JESD22-A119A-2015低温存储寿命试验

在不加任何偏压情况下,借由模拟低温环境评定产品于长时间承受与对抗低温的能力,此试验过程不施加偏压,试验结束后回到常温才能够进行电性测试
推荐设备:高低温试验箱

JESD22-A122A-2016功率循环测试

提供固态元件封装功率循环测试标准与方法,透过偏压的开关週期会造成封装体内温度分布不均匀(PCB、连接器、散热器),还有模拟待机睡眠模式与全载运转,并作为固态元件封装的相关连结的生命週期测试,此试验可补充与增加JESD22-A104或JESD22-A105的测试结果,此试验无法模拟严苛的环境如:引擎室或飞机与太空梭。
推荐设备:冷热冲击试验箱

JESD94B-2015特定应用资格使用基于知识的测试方法

使用相关可靠度测试手法针对设备进行测试,提供了可以扩展的方法到其他故障机制和测试环境,并使用相关寿命模型推估寿命
推荐设备:高低温试验箱、冷热冲击试验箱、高度加速寿命试验箱


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