现货嵌入式市场方面，部分终端品牌出于成本和供应考虑，积极引入更多存储供应商，以抵御存储行情的周期性波动。部分现货嵌入式产品采用小容量的库存资源进行堆叠，导致市场上部分容量价格有所参差，本周64GBeMMC和UFS价格小幅调整。近期贸易端有部分wafer库存释出，但已通过手机终端验证的NAND资源价格仍然较高。由于部分嵌入式资源与服务器供应冲突，部分原厂稀缺资源的价格呈缓慢上涨趋势，加上品牌终端释出一定需求，从而支持现货嵌入式行情整体相对稳定发展。
新产品和技术方面，铠侠推出了一代的UFS4.0嵌入式闪存产品，并开始生产采用CBA技术的第八代BiCS FLASH™，以提升性能和成本效益。
展望未来，铠侠认为供需平衡持续改善，市场价格将不断上涨。在PC和智能手机需求方面，随着原厂控制生产外加客户库存逐渐正常化，PC和智能手机市场需求正在复苏，而人工智能功能模型的激增、单位存储容量的增长以及软件的更新也将推动着换机需求增加。
服务器和企业级SSD需求方面，铠侠预计在人工智能应用高密度和大容量SSD的推动下，数据中心和企业级SSD需求将在2024年下半年呈现复苏趋势。随着人工智能应用和单位存储容量需求不断增长，业界对闪存市场的增长潜力和长期潜在需求驱动因素仍然充满信心。
铠侠将根据市场状况继续优化生产和运营费用。
CMOS的推挽输出：输出高电平时N管截止，P管导通;输出低电平时N管导通，P管截止。输出电阻小，驱动能力强。CMOS门的漏极开路式：去掉P管，输出端可以直接接在一起实现线与功能。如果用CMOS管直接接在一起，那么当一个输出高电平，一个输出低电平时，P管和N管导通，电流很大，可能烧毁管子。单一的管子导通，只是沟道的导通，电流小，如果两个管子都导通，则形成电流回路，电流大。输入输出高阻：在P1和N1管的漏极再加一个P2管和N2管，，当要配置成高阻时，使得P2和N2管都不导通，从而实现高阻状态。
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