存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
二季度为传统需求淡季，下游及终端以按需补货为主，存储现货市场整体需求乏力。由于消费端存储需求短期难有实质性改善，加上今年618电商平台热度不及往年，部分存储品牌仅做适当促销，预计今年618消费类存储出货规模将有所下降。即便原厂仍在积极稳价，但考虑到消费类需求不佳，渠道和部分品牌出现库存积压，现货市场竞价出货加剧，本周渠道和行业部分SSD价格小幅下调。
现货嵌入式市场方面，部分终端品牌出于成本和供应考虑，积极引入更多存储供应商，以抵御存储行情的周期性波动。部分现货嵌入式产品采用小容量的库存资源进行堆叠，导致市场上部分容量价格有所参差，本周64GBeMMC和UFS价格小幅调整。近期虽然贸易端有部分wafer库存释出，但已通过手机终端验证的NAND资源价格仍然较高。另外，由于部分嵌入式资源与服务器供应冲突，部分原厂稀缺资源的价格呈缓慢上涨趋势，加上品牌终端释出一定需求，从而支持现货嵌入式行情整体相对稳定发展。
下面是机器的基本构成图（总装线用悬吊）。这种机器工作模式有三个关键参数，工作温度／工作时间／工作气流压强。在使用前工程IE需要对其调试并得到质量部放行才可以使用。总结下，这款机器有几个要点值得注意，是效率比较低，大家都看到了，只能单根作业，一次只能热缩一条；第二个是热缩槽两边的开口宽度是根据使用套管的直径来定义的，意思是，热缩槽必须能放进去所有的热缩套管（根据目前我司情况，定义10mm）。第三点是为了避免烧伤电线，经过试验验证，热缩管下端到槽位应该留2～3mm。
回收赛普拉斯，豪威，艾迪悌，德州仪器，EXCELITAS,安森美，安霸，KNOWLES,新思，英特矽尔，应美盛，格科微，海思，KIONIX,LEM,思智浦，博世，索尼，NEXTCHIP,晶相，霍尼韦尔，凌通等品牌电子回收
H9CKNNNBKTATDR-NUHH9CKNNNBKTBUPR-NUH
H9CKNNNBKTMRPR-NUH
H9CKNNNBKTMTAR-NTH
H9CKNNNBKTMTDR-NUH
H9CKNNNBKTMTDR-NUHR
H9CKNNNBPTARYR-NTH
H9CKNNNBPTATDR-NTH
H9CKNNNBPTATDR-NTHR
H9CKNNNBPTMRLR-NTH
H9CKNNNBPTMRLR-NTM
H9CKNNNBPTMTAR-NTH
H9CKNNNBRTMTAR-NTH
H9CKNNNCPTMRPR-NUH
H9CKNNNCPTMTLR-NUH
H9CKNNNDATATDR-NUH
H9CKNNNDATMTDR-NUH
H9CKNNNDATMUPR-NUH
H9CKNNNDATMUQR-NUH