通过代工厂工艺生产基础芯片，预计将能够应用各种设计知识产权（IP）。去年，SK海力士副社长朴明在在韩国电子工程学会（IEIE）学术会议上解释了通过代工厂工艺生产基础芯片的好处，称“可以应用多种设计知识产权（IP）到基础芯片上”。SK海力士在13日举行的2024年存储器研讨会（IMW）上公开了第7代HBM产品HBM4E的量产时间表。SK海力士表示：“HBM的开发周期加快了”，并宣布“计划在2026年开始HBM4E产品的量产”。HBM4E的生产预计将使用1cDRAM。
下面简单介绍一下用分离电子元器件组成的延时继电器的工作原理。它工作使用一微型变压器降压，初级输入电源为AC交流220Ⅴ，次级有二组电源AC18ⅤAC12Ⅴ，AC18V经桥式整流二极管（1N4001×4），C1（30uf/32V）滤波后，为kA微型继电器、复合三极管ⅤT1ⅤT2（9012）提供直流DC工作电源。另一组AC交流12Ⅴ电经vD1半波整流，C2电解电容滤波，供给调整充电时间专用可变电位器RP1，C3为一独石电容，其工作特性较好而用于延时充放电电路中。
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